IXFN64N50P、STE48NM50、APT50M85JVR对比区别

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型号 IXFN64N50P STE48NM50 APT50M85JVR

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VSTMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Surface Mount Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227

额定电压(DC) 500 V 550 V 500 V

额定电流 64.0 A 48.0 A 50.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 700 W 450 W 500 W

输入电容 8.70 nF - 10.8 nF

栅电荷 150 nC - 535 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 61.0 A 48.0 A 50.0 A

上升时间 - 35 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 700 W 450 W 500 W

下降时间 - 23 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700W (Tc) 450W (Tc) 500000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 0.085 Ω 80 mΩ -

阈值电压 5.5 V 4 V -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227

长度 38.23 mm 38.2 mm -

宽度 25.42 mm 25.5 mm -

高度 9.6 mm 12.2 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -