APT50M85JVR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50M85JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 500 W
输入电容 10.8 nF
栅电荷 535 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT50M85JVR引脚图与封装图
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在线购买APT50M85JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50M85JVR | Microsemi 美高森美 | 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | 搜索库存 |
替代型号APT50M85JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT50M85JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 500V 50A 10.8nF | 当前型号 | 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | 当前型号 |
| 型号： IXFN64N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-Channel 500V 61A 85mΩ 8.7nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V | APT50M85JVR和IXFN64N50P的区别 |