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TL032IDR、TL032IDRG4、TL032IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL032IDR TL032IDRG4 TL032IDG4

描述 增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤40 mA - ≤40 mA

供电电流 434 µA 434 µA 434 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 9.70 µV/K 9.70 µV/K 9.70 µV/K

带宽 1.1 MHz 1.10 MHz 1.1 MHz

转换速率 2.90 V/μs 2.90 V/μs 2.90 V/μs

增益频宽积 1.1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 570 µV 3.5 mV 570 µV

输入偏置电流 2 pA 0.2 nA 2 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.1 MHz - -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 30 V 30 V

电源电压(Min) - 10 V 10 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15