FDS4672A、IRF7807D1PBF、IRF7807D2对比区别

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型号 FDS4672A IRF7807D1PBF IRF7807D2

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOICTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 40.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 11.0 A 8.30 A 8.30 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

产品系列 - IRF7807D1 IRF7807D2

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 8.30 A 8.30 A

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.01 Ω 25 mΩ -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

阈值电压 1.2 V 1 V -

输入电容 4.77 nF - -

栅电荷 35.0 nC - -

漏源击穿电压 40.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

上升时间 9.00 ns - -

输入电容(Ciss) 4766pF @20V(Vds) - -

额定功率(Max) 1.2 W 2.5 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

通道数 - 1 -

正向电流 - 3.5 A -

正向电压(Max) - 500 mV -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -