
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.30 A
通道数 1
漏源极电阻 25 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7807D1
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 8.30 A
正向电流 3.5 A
正向电压Max 500 mV
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF7807D1PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF7807D1PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 8.3A 25mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC | 当前型号 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7807D1PBF和STS11NF30L的区别 | |
型号: FDS4672A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 40V 11A 13mohms 4.77nF | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IRF7807D1PBF和FDS4672A的区别 |