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IRF7807D1PBF

IRF7807D1PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF7807D1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 8.30 A

通道数 1

漏源极电阻 25 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7807D1

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 8.30 A

正向电流 3.5 A

正向电压Max 500 mV

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF7807D1PBF引脚图与封装图
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IRF7807D1PBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7807D1PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 30V 8.3A 25mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC

当前型号

型号: STS11NF30L

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ

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型号: FDS4672A

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 40V 11A 13mohms 4.77nF

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