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JANTX2N6798、JANTXV2N6798U、2N6798对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6798 JANTXV2N6798U 2N6798

描述 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PINTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 18Pin LLCCTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

引脚数 3 18 3

封装 TO-205 LLCC TO-205

输入电容(Ciss) - 740pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 25000 mW

耗散功率 - - 25000 mW

封装 TO-205 LLCC TO-205

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free