JANTXV2N6798U
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
JANTXV2N6798U中文资料参数规格
技术参数
输入电容Ciss 740pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
引脚数 18
封装 LLCC
外形尺寸
封装 LLCC
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTXV2N6798U引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6798U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6798U | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 18Pin LLCC | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6798U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6798U 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 18Pin LLCC | 当前型号 |
| 型号： IRFE230 品牌： 英飞凌 封装： N-Channel | 完全替代 | 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18Pin LCC package | JANTXV2N6798U和IRFE230的区别 |
| 型号： JANTX2N6798 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A ID, 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN | JANTXV2N6798U和JANTX2N6798的区别 |
