FQB7P20TM、RF1S9630SM、STW26NM60N对比区别
型号 FQB7P20TM RF1S9630SM STW26NM60N
描述 增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETsSTMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 - TO-247-3
耗散功率 3.13 W - 140 W
漏源极电压(Vds) 200 V - 600 V
上升时间 110 ns - 25 ns
输入电容(Ciss) 590pF @25V(Vds) - 1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W - 140 W
下降时间 42 ns - 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 3130 mW - 140W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.135 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 1800 pF
连续漏极电流(Ids) - - 20A
长度 10.67 mm - 15.75 mm
宽度 9.65 mm - 5.15 mm
高度 4.83 mm - 20.15 mm
封装 TO-263-3 - TO-247-3
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - 150℃ (TJ)
香港进出口证 - - NLR