IRFZ40PBF、RFP50N06对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFZ40PBF RFP50N06

描述 VISHAY  IRFZ40PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 28 mohm, 10 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.028 Ω 22 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 131 W

阈值电压 4 V 4 V

输入电容 1900pF @25V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 50.0 A

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 W 131 W

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 50.0 A

额定功率 - 131 W

通道数 - 1

漏源击穿电压 - 60 V

上升时间 - 55 ns

额定功率(Max) - 131 W

下降时间 - 13 ns

封装 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube

产品生命周期 - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99