DTA114EM3T5G、DTA114TMT2L、DTA114EMT2L对比区别

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型号 DTA114EM3T5G DTA114TMT2L DTA114EMT2L

描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-723-3 VMT-3 VMT-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -50.0 mA

额定功率 - 0.15 W 0.15 W

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 100 @1mA, 5V 20 @5mA, 5V

额定功率(Max) 260 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 338 mW 150 mW 150 mW

耗散功率 0.6 W - 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) 35 - 30

无卤素状态 Halogen Free - -

封装 SOT-723-3 VMT-3 VMT-3

长度 1.25 mm - 1.2 mm

宽度 0.85 mm - 0.8 mm

高度 0.55 mm - 0.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -