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FQU2N50BTU、FQU2N50BTU_WS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU2N50BTU FQU2N50BTU_WS

描述 N沟道 500V 1.6ATrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 1.60 A 1.6A

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 1.60 A -

漏源极电阻 5.30 Ω -

漏源击穿电压 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99