FQU2N50BTU_WS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU2N50BTU_WS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 1.6A
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQU2N50BTU_WS引脚图与封装图
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在线购买FQU2N50BTU_WS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU2N50BTU_WS | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQU2N50BTU_WS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU2N50BTU_WS 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： IPAK-3 N-CH 500V 1.6A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 |
| 型号： FQU2N50BTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 500V 1.6A 5.3ohms | 类似代替 | N沟道 500V 1.6A | FQU2N50BTU_WS和FQU2N50BTU的区别 |