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BS170FTA、MMBF170-7、2N6660对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS170FTA MMBF170-7 2N6660

描述 BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- SOT-23功率MOSFET500毫安,60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS(ON)电压控制小信号开关坚固,可靠。高饱和电流能力晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 150 mA 500 mA -

通道数 1 - 1

漏源极电阻 5 Ω 5.00 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 0.33 W 300 mW 6.25 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 150 mA 500 mA -

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 50pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 330 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 330mW (Ta) 300mW (Ta) 6.25W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -