STGF30H60DF、STGF30M65DF2、STGB30H60DF对比区别

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型号 STGF30H60DF STGF30M65DF2 STGB30H60DF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 31000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP TubeIGBT管/模块 STGF30M65DF2 TO-220FP-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

耗散功率 31000 mW 38000 mW 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 650 V 600 V

反向恢复时间 110 ns 140 ns 110 ns

额定功率(Max) 37 W 38 W 260 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 31000 mW 38000 mW 150000 mW

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99