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D45H8、D45H8G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D45H8 D45H8G

描述 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  D45H8G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 40 MHz, 70 W, -10 A, 60 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -10.0 A -10.0 A

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 60 W 2000mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60V

集电极最大允许电流 10A 10A

针脚数 3 -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V -

额定功率(Max) 2 W -

直流电流增益(hFE) 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 60000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -