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IRF530SPBF、IRF540ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530SPBF IRF540ZSPBF

描述 VISHAY  IRF530SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道INFINEON  IRF540ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263 TO-263-3

额定功率 - 92 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.16 Ω 0.0265 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.7 W 92 W

阈值电压 4 V 4 V

输入电容 - 1770pF @25V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 36A

上升时间 34 ns 51 ns

输入电容(Ciss) - 1770pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 92W (Tc)

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -