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IRF530SPBF

IRF530SPBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRF530SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

•Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

IRF530SPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 34 ns

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF530SPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF530SPBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRF530SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道 搜索库存
替代型号IRF530SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF530SPBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-263 N-Channel 100V 14A

当前型号

VISHAY  IRF530SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道

当前型号

型号: IRF540ZSPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 36A

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INFINEON  IRF540ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V

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