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STB14NK60ZT4

STB14NK60ZT4

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


STB14NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 13.5 A

通道数 1

漏源极电阻 500 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 2220 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 13.5 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 2220pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB14NK60ZT4引脚图与封装图
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STB14NK60ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB14NK60ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB14NK60ZT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 600V 13.5A 500mΩ

当前型号

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STB9NK60ZT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms

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型号: STB6NK60ZT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 600V 6A 1.2ohms

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型号: STB4NK60ZT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 600V 2A 2Ω

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