IPB160N04S4-02D、STI300N4F6、IPB160N04S3-H2对比区别

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型号 IPB160N04S4-02D STI300N4F6 IPB160N04S3-H2

描述 D2PAK N-CH 40V 160AN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-262-3 TO-263-7

耗散功率 - 300 W 214 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 22 ns 98 ns 16 ns

输入电容(Ciss) - 13800pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns 95 ns 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 214W (Tc)

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 160A - 160A

额定功率(Max) - - 214 W

长度 - 10.4 mm 10 mm

宽度 - 4.6 mm 9.25 mm

高度 - 9.35 mm 4.4 mm

封装 D2PAK TO-262-3 TO-263-7

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free