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BD234、BD234G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD234 BD234G

描述 塑料中功率双极晶体管 Plastic Medium Power Bipolar Transistors塑料中功率双极晶体管 Plastic Medium Power Bipolar Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-225-3

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 25 W

增益频宽积 - 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 40

额定功率(Max) 25 W 25 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 25000 mW

长度 - 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm

高度 - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-225-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99