锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

UC2714D、UC2714DG4、UC3714D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC2714D UC2714DG4 UC3714D

描述 MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。辅助开关FET驱动器 Complementary Switch FET DriversMOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) - 20.0V (max)

上升/下降时间 30ns, 25ns 30ns, 25ns 30ns, 25ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 1.00 A - 1.00 A

下降时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

上升时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 7V ~ 20V 7V ~ 20V 7V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 7 V 7 V

频率 1 MHz 1 MHz -

上升时间 60 ns 60 ns -

下降时间 60 ns 60 ns -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15