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BD1376S、BD1376STU、BD137G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1376S BD1376STU BD137G

描述 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 - - 50 MHz

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 1.50 A - 6.00 A

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) - - 40

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1.25 W

长度 - - 7.74 mm

宽度 - - 2.66 mm

高度 - - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99