STGD7NB60S、STGD7NB60ST4对比区别

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型号 STGD7NB60S STGD7NB60ST4

描述 N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTN沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK-3 TO-252-3

引脚数 - 3

封装 DPAK-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 7.00 A

耗散功率 - 55000 mW

漏源极电压(Vds) - 600 V

连续漏极电流(Ids) - 7.00 A

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V

额定功率(Max) - 55 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 55000 mW

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99