锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STGD7NB60ST4

STGD7NB60ST4

数据手册.pdf

N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT

IGBT - 600 V 15 A 55 W 表面贴装型 DPAK


得捷:
IGBT 600V 15A 55W DPAK


艾睿:
The STGD7NB60ST4 IGBT transistor from STMicroelectronics is the best electronic switch for fast switching. Its maximum power dissipation is 55000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


DeviceMart:
IGBT 600V 15A 55W DPAK


Win Source:
IGBT 600V 15A 55W DPAK


STGD7NB60ST4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.00 A

耗散功率 55000 mW

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 55 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 55000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.2 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGD7NB60ST4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGD7NB60ST4
型号 制造商 描述 购买
STGD7NB60ST4 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT 搜索库存
替代型号STGD7NB60ST4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGD7NB60ST4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 600V 7A 55000mW

当前型号

N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT

当前型号

型号: STGD7NB60S

品牌: 意法半导体

封装: DPAK-3

功能相似

N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT

STGD7NB60ST4和STGD7NB60S的区别