71V416L10Y、IDT71V416S10YG、IS61WV25616EDBLL-10TLI对比区别

高亮显示差异参数

型号 71V416L10Y IDT71V416S10YG IS61WV25616EDBLL-10TLI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44Pin SOJ Tube3.3V CMOS静态RAM 4 MEG （ 256K ×16位） 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 44 - 44

封装 SOJ SOJ TSOP-44

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

供电电流 - - 35 mA

针脚数 - - 44

位数 - - 16

存取时间 - - 10 ns

存取时间(Max) - - 10 ns

电源电压 - - 2.4V ~ 3.6V

封装 SOJ SOJ TSOP-44

长度 - - 18.54 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 EAR99

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)