FDD8750、FDU8778、FDD8778对比区别

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型号 FDD8750 FDU8778 FDD8778

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 2.7A ， 40mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohmN沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 35A ， 14mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohmFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8778  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 25 V, 0.0116 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 2.70 A 35.0 A 35.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 40.0 mΩ 11.6 mΩ 0.0116 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.7W (Ta), 18W (Tc) 39 W 39 W

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 425 pF 845 pF 845 pF

栅电荷 9.00 nC 18.0 nC 18.0 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25.0 V

栅源击穿电压 25.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 35.0 A 35.0 A

上升时间 - 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 425pF @13V(Vds) 845pF @13V(Vds) 845pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 3.7 W 39 W 39 W

下降时间 - 32 ns 32 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 18W (Tc) 39W (Tc) 39 W

长度 - 10.67 mm 6.73 mm

宽度 - 4.7 mm 6.22 mm

高度 - 16.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99