FDU8778
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDU8778中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 11.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
输入电容 845 pF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 845pF @13VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDU8778引脚图与封装图
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在线购买FDU8778
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDU8778 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 35A ， 14mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm | 搜索库存 |
替代型号FDU8778
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDU8778 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 25V 35A 11.6mohms 845pF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 35A ， 14mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm | 当前型号 |
| 型号： FDD8750 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 25V 2.7A 40mohms 425pF | 功能相似 | N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 2.7A ， 40mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm | FDU8778和FDD8750的区别 |