BDX53BTU、MJE13007G、BDX53B对比区别

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型号 BDX53BTU MJE13007G BDX53B

描述 达林顿晶体管 NPN Si Transistor EpitaxialON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFESTMICROELECTRONICS  BDX53B  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 14 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 400 V -

额定电流 8.00 A 8.00 A -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 60 W 80 W 60 W

上升时间 - 1.5 µs -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 400 V 80 V

热阻 - 1.56℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 8A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 5 @5A, 5V 750 @3A, 3V

额定功率(Max) 60 W 80 W 60 W

直流电流增益(hFE) - 4 750

下降时间 - 0.7 µs -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 80000 mW 60000 mW

长度 10.1 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 9.4 mm 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99