BSP613PH6327XTSA1、BSP613P L6327对比区别

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型号 BSP613PH6327XTSA1 BSP613P L6327

描述 Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装INFINEON  BSP613P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223-4

额定功率 1.8 W -

通道数 1 -

针脚数 4 4

漏源极电阻 0.11 Ω 0.11 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 1.8 W 1.8 W

阈值电压 3 V -

输入电容 715 pF 875 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 2.9A 2.90 A

上升时间 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 875pF @25V(Vds) 875pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W

下降时间 7 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) -

额定电压(DC) - -60.0 V

额定电流 - -2.90 A

栅电荷 - 33.0 nC

长度 40 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm

高度 1.5 mm 1.6 mm

封装 TO-261-4 SOT-223-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC