锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)

· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准


得捷:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# INFINEON  BSP613PH6327XTSA1  MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223


BSP613PH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 3 V

输入电容 715 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.9A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 875pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 40 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 电源管理, Onboard charger, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP613PH6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP613PH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP613PH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 搜索库存
替代型号BSP613PH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP613PH6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL P-Channel 60V 2.9A

当前型号

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

当前型号

型号: BSP613P L6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 P-Channel 60V 2.9A 875pF

功能相似

INFINEON  BSP613P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V

BSP613PH6327XTSA1和BSP613P L6327的区别