IRGR3B60KD2TRRP、STGD3NB60SDT4、FGD3N60LSDTM对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRGR3B60KD2TRRP STGD3NB60SDT4 FGD3N60LSDTM

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTGD3NB60H 系列 600 V 3 A N 沟道 Power Mesh IGBT - D2PAKIGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 3.00 A 6.00 A

耗散功率 - 48000 mW 40000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 1.7 µs 234 ns

额定功率(Max) - 48 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 48000 mW 40 W

上升时间 - 150 µs -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - 175℃ (TJ) -