MJE4343、MJE4343G对比区别
描述 高？压？大功率晶体管 High?Voltage High Power TransistorsNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-218-3 TO-247-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 160 V 160 V
额定电流 16.0 A 16 A
极性 NPN NPN
耗散功率 125 W 125 W
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V
集电极最大允许电流 16A 16A
最小电流放大倍数(hFE) 15 15 @8A, 2V
额定功率(Max) 125 W 125 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
频率 - 1 MHz
增益频宽积 - 1 MHz
直流电流增益(hFE) - 1
耗散功率(Max) - 125000 mW
长度 15.2 mm 15.2 mm
宽度 4.9 mm 4.9 mm
封装 TO-218-3 TO-247-3
高度 - 16.2 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
重量 - 0.004535924 kg
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 30 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99