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2SA1245、PN5179、BFR181T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1245 PN5179 BFR181T

描述 2SA1245 PNP三极管 -15V -30mA 4GHz 20 -5V SOT-23/SC-59 marking/标记 MD 高频放大器和开关NPN晶体管RF NPN RF TransistorBFR181T NPN三极管 20V 20mA 8Ghz 50~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 RF 低噪声,高增益宽带放大器

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 TO-226-3 SC-75

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

耗散功率 - 350 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 8 V 12 V -

增益 - 15 dB 19.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @3mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) - 350 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW 175 mW

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 0.03A - -

长度 - 4.7 mm -

宽度 - 3.93 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 SOT-23 TO-226-3 SC-75

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -