PN5179
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
PN5179中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 15 dB
最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PN5179引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PN5179
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PN5179 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 12V 50mA 350mW | 当前型号 | NPN晶体管RF NPN RF Transistor | 当前型号 |
| 型号： FMMT5179TA 品牌： 美台 封装： TO-236-3 NPN 12V 50mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN RF | PN5179和FMMT5179TA的区别 |
| 型号： 2SA1245 品牌： 东芝 封装： SOT-23/SC-59 PNP | 功能相似 | 2SA1245 PNP三极管 -15V -30mA 4GHz 20 -5V SOT-23/SC-59 marking/标记 MD 高频放大器和开关 | PN5179和2SA1245的区别 |