锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BQ32000D、BQ32000DR、ISL1208IB8Z-TK对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ32000D BQ32000DR ISL1208IB8Z-TK

描述 Texas Instruments### 实时时钟 (RTC)TEXAS INSTRUMENTS  BQ32000DR  芯片, 实时时钟, 串口, 8SOIC2字节用户SRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 实时时钟芯片实时时钟芯片实时时钟芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.30 V 3.30 V 2.70V (min)

内存容量 - - 2 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 1.4V ~ 3.6V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 5.5 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 2.7 V

工作电压 - 3V ~ 3.6V -

针脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.5 mm 1.5 mm -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

重量 - - 0.0086400280352 kg

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -