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BCR562、MUN5111DW1T1G、DTB143EKT146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR562 MUN5111DW1T1G DTB143EKT146

描述 BCR562 带阻尼PNP三极管 -50V -50mA 60 0.33W/330mW SOT-23/SC-59 标记XU 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。DTB143EK 系列 50 V 500 mA 表面贴装 PNP 数字 晶体管 - SC-59

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 3

封装 SOT-23 SC-88-6 SOT-23-3

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -100 mA -500 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.385 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 100mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V 47 @50mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V 47

额定功率(Max) - 250 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 200 mW

额定功率 - - 200 mW

增益带宽 - - 200 MHz

长度 - 2 mm 2.9 mm

宽度 - 1.25 mm 1.6 mm

高度 - 0.9 mm 1.1 mm

封装 SOT-23 SC-88-6 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -