MJE2955TTU、MJE3055TTU、TIP32AG对比区别

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型号 MJE2955TTU MJE3055TTU TIP32AG

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SiliconFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJE3055TTU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFEPNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 2 MHz 2 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V -60.0 V

额定电流 -10.0 A 10.0 A 3.00 A

针脚数 - 3 3

极性 PNP, P-Channel NPN PNP, P-Channel

耗散功率 75 W 75 W 40 W

增益频宽积 - - 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 10A 10A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 600 mW 600 mW 2 W

直流电流增益(hFE) 20 5 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 75 W 2000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 100 100 -

长度 10.1 mm 9.9 mm 10.28 mm

宽度 4.7 mm 4.5 mm 4.83 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99