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TL082CM/NOPB、TL082IDRQ1、TL082ACD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL082CM/NOPB TL082IDRQ1 TL082ACD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TL082CM/NOPB  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 6V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚JFET输入运算放大器 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTMICROELECTRONICS  TL082ACD  双运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0 V - 36.0 V

供电电流 3.6 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 - - 680 mW

共模抑制比 70 dB 75dB ~ 86dB 80 dB

带宽 4 MHz 3.00 MHz 4 MHz

转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 3 MHz 4 MHz

输入补偿电压 5 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 50 pA 30 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ 0 ℃

增益带宽 4 MHz 3 MHz 4 MHz

耗散功率(Max) - - 680 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 75 dB 80 dB

电源电压 - - 6V ~ 36V

输出电流 17.0 mA - -

输入补偿漂移 10.0 µV/K 18.0 µV/K -

电源电压(Max) 36 V 36 V -

电源电压(Min) 10 V 7 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.45 mm 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -