AUIRF7675M2TR、F-767对比区别

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型号 AUIRF7675M2TR F-767

描述 INFINEON  AUIRF7675M2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 18 A, 150 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V 新Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 7 -

封装 Direct-FET -

额定功率 45 W -

针脚数 7 -

漏源极电阻 0.047 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 45 W -

阈值电压 4 V -

漏源极电压(Vds) 150 V -

连续漏极电流(Ids) 4.4A -

上升时间 13 ns -

输入电容(Ciss) 1360pF @25V(Vds) -

下降时间 7.5 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.7W (Ta), 45W (Tc) -

封装 Direct-FET -

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -