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AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2TR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  AUIRF7675M2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 18 A, 150 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V 新

表面贴装型 N 通道 4.4A(Ta),18A(Tc) 2.7W(Ta),45W(Tc) DIRECTFET™ M2


得捷:
MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET


欧时:
Infineon MOSFET AUIRF7675M2TR


立创商城:
AUIRF7675M2TR


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.4A Automotive 7-Pin Direct-FET M2 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 7-Pin Direct-FET M2 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.4A Automotive 7-Pin Direct-FET M2 T/R


Newark:
# INFINEON  AUIRF7675M2TR  MOSFET, AECQ101, N-CH, 150V, DIRECTFETM2


儒卓力:
**N-CH 150V 18A 56mOhm DiFET M2 **


AUIRF7675M2TR中文资料参数规格
技术参数

额定功率 45 W

针脚数 7

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1360pF @25VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

AUIRF7675M2TR引脚图与封装图
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在线购买AUIRF7675M2TR
型号 制造商 描述 购买
AUIRF7675M2TR Infineon 英飞凌 INFINEON  AUIRF7675M2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 18 A, 150 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存
替代型号AUIRF7675M2TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AUIRF7675M2TR

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DirectFET N-Channel 150V 4.4A

当前型号

INFINEON  AUIRF7675M2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 18 A, 150 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V 新

当前型号

型号: F-767

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 4.4A ID, 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

AUIRF7675M2TR和F-767的区别