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LT1009IDR、LT1009IDRG4、LT1009IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1009IDR LT1009IDRG4 LT1009IDG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LT1009IDR  电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, SOIC-82.5V Integrated Reference Circuit 8-SOIC -40℃ to 85℃2.5V Integrated eference Circuit 8-SOIC -40℃ to 85℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.4 % ±0.4 % ±0.4 %

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

通道数 1 - 1

输出电压(Max) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 ma

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

针脚数 8 - -

精度 0.2 % - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

温度系数 ±35 ppm/℃ ±35 ppm/℃ ±35 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -