IXGT15N120CD1、IXGT20N120BD1、APT15GN120SDQ1G对比区别

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型号 IXGT15N120CD1 IXGT20N120BD1 APT15GN120SDQ1G

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(2+Tab) TO-268高速PT IGBT High Speed PT IGBT

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

耗散功率 150000 mW 190000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

反向恢复时间 40 ns 40 ns -

额定功率(Max) 150 W 190 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 190000 mW 195000 mW

长度 16.05 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 5.1 mm 5.1 mm -

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -