APT15GN120SDQ1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
APT15GN120SDQ1G中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268
外形尺寸
封装 TO-268
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
APT15GN120SDQ1G引脚图与封装图
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在线购买APT15GN120SDQ1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT15GN120SDQ1G | Microsemi 美高森美 | 高速PT IGBT High Speed PT IGBT | 搜索库存 |
替代型号APT15GN120SDQ1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT15GN120SDQ1G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 高速PT IGBT High Speed PT IGBT | 当前型号 |
| 型号： APT20GF120SRDQ1G 品牌： 美高森美 封装： D3 1.2kV 36A | 类似代替 | IGBT w/ anti-parallel diodeA | APT15GN120SDQ1G和APT20GF120SRDQ1G的区别 |
