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MJD31C-13、MJD31CTF、MJD31CQ-13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31C-13 MJD31CTF MJD31CQ-13

描述 MJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定功率 1.56 W - -

极性 NPN - NPN

耗散功率 3.9 W 1.56 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A - 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 40 @3A, 4V - -

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 15 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1560 mW 1500 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 10 -

长度 6.8 mm 6.73 mm -

宽度 6.2 mm 6.22 mm -

高度 2.4 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -