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EM6K31T2R、UM6K31NTN、UM6K31NL-AL6-R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EM6K31T2R UM6K31NTN UM6K31NL-AL6-R

描述 2.5V驱动N沟道N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch Nch MOSFETUM6K31N 系列 60 V 250 mA 2.4 Ohm 硅 表面贴装 N-沟道 Mosfet - UMT6SILICON N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) UTC (友顺)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SC-70-6 -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 1.7 Ω 1.7 Ω -

极性 N-CH Dual N-Channel -

耗散功率 0.15 W 0.15 W -

阈值电压 2.3 V 2.3 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.25A 0.25A -

上升时间 5 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 15pF @25V(Vds) 15pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW -

下降时间 28 ns 28 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW -

长度 - 2.1 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 0.9 mm -

封装 SOT-563-6 SC-70-6 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -