EM6K31T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EM6K31T2R中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.25A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 15pF @25VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EM6K31T2R引脚图与封装图 
EM6K31T2R引脚图
EM6K31T2R封装图
EM6K31T2R封装焊盘图
在线购买EM6K31T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EM6K31T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2.5V驱动N沟道N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch Nch MOSFET | 搜索库存 |
替代型号EM6K31T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EM6K31T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 N-CH 60V 0.25A | 当前型号 | 2.5V驱动N沟道N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch Nch MOSFET | 当前型号 |
| 型号： UM6K31NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-TSSOP Dual N-Channel 60V 0.25A | 功能相似 | UM6K31N 系列 60 V 250 mA 2.4 Ohm 硅 表面贴装 N-沟道 Mosfet - UMT6 | EM6K31T2R和UM6K31NTN的区别 |