IRF7101TRPBF、SI4435DYPBF、IRF7101PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7101TRPBF SI4435DYPBF IRF7101PBF

描述 N 沟道 20 V 2 W 15 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8INFINEON  SI4435DYPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 VINFINEON  IRF7101PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.1 Ω 0.015 Ω 0.1 Ω

极性 Dual N-Channel P-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A 8A 3.5A

上升时间 10 ns 76 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 320pF @15V(Vds) 2320pF @15V(Vds) 320pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

下降时间 30 ns 90 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2.5W (Ta) 2 W

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17