SI4435DYPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SI4435DYPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 76 ns
输入电容Ciss 2320pF @15VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI4435DYPBF引脚图与封装图
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在线购买SI4435DYPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4435DYPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4435DYPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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