SI2399DS-T1-GE3、TSM2323CX RF、AO3415对比区别

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型号 SI2399DS-T1-GE3 TSM2323CX RF AO3415

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mVTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3Pin SOT-23 T/RP沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 RF模块、IC及配件MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1.25 W 1.5W (Ta)

极性 P-Channel - P-CH

连续漏极电流(Ids) 5.1A - 4A

输入电容(Ciss) 835pF @10V(Vds) - 1450pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 1.5 W

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.028 Ω - -

阈值电压 600 mV - -

上升时间 20 ns - -

下降时间 9 ns - -

长度 - 3.1 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.2 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

香港进出口证 - - NLR