TSM2323CX RF
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
TSM2323CX RF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TSM2323CX RF引脚图与封装图
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在线购买TSM2323CX RF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSM2323CX RF | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号TSM2323CX RF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSM2323CX RF 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 |
| 型号： PMV65XP,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB P-Channel 20V 3.9A | 功能相似 | NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV | TSM2323CX RF和PMV65XP,215的区别 |
| 型号： SI2399DS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV | TSM2323CX RF和SI2399DS-T1-GE3的区别 |